贵州航天电器申请微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法专利

  ICC讯 2024年4月12日，据国家知识产权局公告，贵州航天电器股份有限公司申请一项名为“一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法”，公开号CN117870886A，申请日期为2023年12月。

  专利摘要显示，本发明公开了一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法，所述微纳多层膜型薄膜传感器包括衬底、薄膜A和薄膜B，所述衬底外设置电极层，所述薄膜A和薄膜B设置在衬底上。本发明的制备方法可以在不借助先进光刻工艺及刻蚀工艺的情况下实现纳米级电阻电路的精确制备，并且采用叠层的方法，极大的减少了功能层在衬底上所占的面积，使其宽度方向仅受切割方式的影响。有效的增加了膜型传感器的功能层面积，大幅减小体积，增加传感器精度，扩展了薄膜类传感器使用空间下极限。